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东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性

本文作者：东芝电子点击： 2026-09-24 13:22

前言：

2026年9月24日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电压额定值为3300V，漏极电流（DC）额定值为800A。其规格参数中标明了二极管部分的I²t极限值，该值是衡量浪涌电流能力的指标。

铁路牵引逆变器和转换器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备等工业设备制造商，必须不断满足更高效率、更小尺寸和更高可靠性的需求。在这些系统中，异常情况下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流，功率半导体模块可能会承受巨大的浪涌电流，因此必须具备足够的浪涌电流耐受能力以应对这一挑战。

IX800FXF2YMS4采用优化的SiC芯片设计，在异常条件下可实现300kA²s^[1]的I²t特性，该特性是衡量二极管部分浪涌电流能力的指标。

该模块的漏源导通电压（检测）（VDS(on)sense）为1.4V（典型值）^[2]，有助于降低导通损耗。其导通开关损耗（Eon）为185mJ（典型值）^[3]，关断开关损耗（Eoff）为175mJ（典型值）^[3]，有助于降低开关损耗。这些特性有助于提升设备可靠性和效率，并缩小冷却系统尺寸。

新产品采用iXPLV™封装^[4]，具有出色安装兼容性。该产品使用银烧结接合技术，提高了SiC芯片接合部位的耐热性和可靠性，实现了工业设备所需的175°C沟道温度额定值。

此次新产品的加入，使东芝采用iXPLV™封装的SiC MOSFET模块数量增至四款，进一步拓宽了可选产品范围。

东芝将继续扩充面向工业设备的SiC MOSFET模块产品阵容，提供更广泛的产品选择，以满足多样化的设备规格和应用需求。同时，公司还将继续为提升工业设备的可靠性、效率和小型化作出贡献。

 应用：

工业设备

- 铁路牵引逆变器和转换器

- 可再生能源发电系统

- 电力转换系统（固态变压器（SST）[5]；不间断电源（UPS）；储能系统（ESS）等）

- 工业电机控制设备等

 特性：

- 规定I²t极限值（二极管）额定值：I²t＝300kA²s

- 低漏源导通电压（检测）：VDS(on)sense＝1.4V（典型值）

- 低开关损耗：Eon＝185mJ（典型值），Eoff＝175mJ（典型值）

- 结温额定值：Tch＝175°C

- 采用iXPLV™封装。

 主要规格：

（除非另有说明，否则Tc＝25°C）

产品型号				IX800FXF2YMS4
封装		名称		iXPLV™
封装		尺寸（mm）	典型值	144×99.5×40
绝对最大额定值	漏源电压VDSS（V）			3300
	栅源电压VGSS（V）			＋25/－10
	漏极电流（DC）ID（A）			800
	漏极电流（脉冲）IDP（A）			1600
	结温Tch（°C）			175
	绝缘电压Visol（Vrms）	交流，60s		6000
	I²t极限值（二极管）I²t（kA²s）	Tch(initial)＝175°C，VGS＝－6V，半正弦波10ms 1脉冲，F.R.＝1%		300
电气特性	漏源导通电压（检测） VDS(on)sense（V）	ID＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C	典型值	1.4
	源漏导通电压（检测） VSD(on)sense（V）	IS＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C	典型值	1.4
	源漏关断电压（检测） VSD(off)sense（V）	IS＝800A，VGS＝－6V，Tch＝25°C	典型值	2.2
	杂散电感LsPN（nH）	P端子—N端子	典型值	12
	导通开关损耗 Eon（mJ）	VDD＝1800V，ID＝800A，VGS＝＋20V/－6V，Cgs＝100nF，RG(on)＝1.2Ω，RG(off)＝1.2Ω，Tch＝175°C，LS≃70nH	典型值	185
	关断开关损耗 Eoff（mJ）		典型值	175