
|
器件型号 |
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通道数 (正向:反向) |
4 (3:1) |
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默认输出逻辑 |
低 |
高 |
低 |
高 |
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使能控制 |
输出使能 |
输入禁用 |
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封装 |
SOIC16-W |
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|
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
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|
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
||||||||
|
隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
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|
电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V, VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
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数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V |
最大值 |
50 |
||||||
|
脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
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|
传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
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库存查询与购买 |
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器件型号 |
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通道数 (正向:反向) |
4 (4:0) |
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默认输出逻辑 |
低 |
高 |
低 |
高 |
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|
使能控制 |
无 |
输出使能 |
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封装 |
SOIC16-W |
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|
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
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|
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
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|
隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
||||
|
电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
|||
|
数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5V |
最大值 |
50 |
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|
脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
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传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
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库存查询与购买 |
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器件型号 |
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|
通道数 (正向:反向) |
4 (2:2) |
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|
默认输出逻辑 |
低 |
高 |
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|
使能控制 |
输出使能 |
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|
封装 |
SOIC16-W |
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|
绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
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|
存储温度Tstg(°C) |
–65至150 |
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|
隔离电压 BVS(Vrms) |
t=1分钟,Ta=25 °C |
最小值 |
5000 |
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电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V |
典型值 |
100 |
||
|
数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V |
最大值 |
50 |
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脉宽失真 PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
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传输延迟时间 tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
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库存查询与购买 |
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