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Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET

本文作者：Vishay 点击： 2024-12-05 11:35

前言：

器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可优化热性能

2024年12月4日--日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。

日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0.34 m，最大限度减少了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时通过低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了热性能。SiJK140E允许设计人员使用一个器件（而不用并联两个器件）实现相同的低导通电阻，从而提高了可靠性，并延长了平均故障间隔时间（MTBF）。

MOSFET采用无线键合（BWL）设计，最大限度减少了寄生电感，同时最大限度提高了电流能力。采用打线键合（BW）封装的TO-263-7L解决方案电流限于200 A，而SiJK140E可提供高达795 A的连续漏极电流，以提高功率密度，同时提供强大的SOA功能。与TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封装占位面积为120 mm2，可节省27 %的PCB空间，同时厚度减小50 %。

SiJK140E非常适合同步整流、热插拔和OR-ing功能。典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。为了避免这些产品出现共通，标准级FET提供了2.4Vgs的高阈值电压。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试。

PPAK10x12与 TO-263-7L规格对比

产品编号		SiJK140E	SUM40014M	性能改进
封装		PowerPAK10x12	TO-263-7L	-
尺寸 (mm)		10 x 12	10.4 x 16	+27 %
高度		2.4	4.8	+50 %
V_DS (V)		40	40	-
V_GS(V)		± 20	± 20	-
配置		单	单	-
V_GSth(V)	最小值	2.4	1.1	+118 %
R_DS(on)(mΩ) @ 10 V_GS	典型值	0.34	0.82	+58 %
R_DS(on)(mΩ) @ 10 V_GS	最大值	0.47	0.99	+53 %
Q_g (nC) @ 10 V_GS	典型值	312	182	-
FOM	-	106	149	+29 %
I_D (A)	最大值	795	200	+397 %
R_thJC(C/W)	最大值	0.21	0.4	47 %

SiJK140E现可提供样品并已实现量产，订货周期为36周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

The DNA of tech®是Vishay Intertechnology, Inc.的注册商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix incorporated的注册商标。

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