器件型号 |
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极性 |
N沟道 |
N沟道 |
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绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS(V) |
40 |
40 |
漏极电流(DC)ID(A) |
400 |
200 |
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漏极电流(脉冲)IDP(A) |
1200 |
600 |
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结温Tch(℃) |
175 |
175 |
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漏极-源极导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) |
@VGS=6V |
0.47 |
1.8 |
@VGS=10V |
0.30 |
1.0 |
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沟道到外壳热阻Zth(ch-c)最大值 @Tc=25℃(℃/W) |
0.2 |
0.65 |
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封装 |
L-TOGL™ |
L-TOGL™ |
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系列 |
U-MOSIX-H |
U-MOSIX-H |
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