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UnitedSiC（现为 Qorvo®）针对电源设计扩展更高性能和效率750V SiC FET 产品组合
前言：
七款D2PAK 表面贴装组件可提供更大灵活性
2022年7月26日--Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo SiC FET可为车载充电器、软切换 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长应用量身客制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益高功率应用提供更佳解决方案。
Qorvo 第四世代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ之业内更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、44 和 60mΩ。这种广泛选择可为工程师提供更多组件选项，从而具有更高灵活性，以实现更佳成本/效率平衡，同时保持充足设计冗余和电路牢固性。利用独特迭接式（cascode） SiC FET 技术，其中常开型 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生成常关型 SiC FET，这些组件可提供同类更佳 RDS x A 质量因子，能够以较小芯片实现较低传导损耗。
Qorvo 旗下UnitedSiC首席工程师 Anup Bhalla 表示：「D2PAK-7L 封装可降低紧凑型内部连接环路电感，与包含的 Kelvin 源极连接一起，可降低切换损耗，从而实现更高操作频率和更高系统功率密度。这些组件还采用银烧结（silver-sinter）芯片贴装技术，热阻非常低，可透过标准 PCB 和带液体冷却IMS 基板最大限度散热。」
采用 D2PAK-7L 封装新型 750V 第 4 世代 SiC FET 单价（1000 片以上，美国离岸价）从 UJ4C075060B7S 的 3.50 美金到 UJ4SC075009B7S 的 18.92 美金不等。所有组件均可从授权经销商处获得。
Qorvo 旗下UnitedSiC UJ4C/SC 第 4 世代 SiC FET 系列能够提供业内更佳性能质量因子，进而在更高速度下降低传导损耗并提高效率，同时提高整体成本效益，欲详细了解更多讯息，请参考：https://unitedsic.com/group/uj4c-sc/。欲下载 Qorvo SiC FET 用户指南，请点击此处。
关于 Qorvo
Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、 以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 服务于全球市场，包括先进的无线设备、 有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势，以推进 5 G 网络、 云计算、 物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、 地点和事物的全球互联。访问 www.qorvo.com 了解 Qorvo如何创造美好的互联世界。
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