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日前，在Insight Analytical Labs最新发布的Galaxy A23拆解报告中，希荻微的电荷泵直充芯片HL7132 (WQN10)出现在三星手机Galaxy A23的主板上。HL7132通过将供电（PD）适配器的输入电流加倍，达到充电电流加倍的功能。借助HL7132，可以将供电（PD）适配器的3A电流充电至高达6A电流，从而将手机充电时间缩短50%，减少了用户的充电等待时间，提高用户体验。
HL7132是一款采用开关电容转换器架构和集成FET的低压(2:1)快速直充芯片，适用于1节锂离子和锂聚合物电池。经过优化，其可在电荷泵（CP）模式下实现50%占空比。在2:1电荷泵模式，HL7132的输出电压（VOUT）变为输入电压（VIN）的一半，输出电流（IOUT）变为输入电流（IIN）的2倍，从而降低了输入电源在充电线上的损耗，并控制了手机充电应用中的温升。
希荻微总经理David Nam表示：“希荻微是超级快充技术方面的领先企业，我们的相关技术已经从高端手机全面拓展到中端手机应用。希荻微的超级快充产品能够入选三星的高性能经济型Galaxy A23手机，我们对此感到很自豪。”
关于希荻微
广东希荻微电子股份有限公司（688173.SH）是一家中国领先的模拟芯片厂商，专注于开发模拟和电源管理集成电路，实现高能效的智能系统，致力于为客户提供覆盖多元化终端应用的全系列模拟芯片产品线。自2012年以来，希荻微一直在推动移动、物联网和汽车电源系统的创新，构建了能够与国际模拟芯片龙头厂商相竞争的高性能产品线，赢得了国内外多家主流客户的高度认可，实现了科技成果与产业的深度融合，为高性能模拟集成电路领域实现自主可控做出了重大贡献。更多信息请访问: https://halomicro.com.
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