器件型号 |
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封装 |
TO-3P(N) |
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绝对最大额定值 |
漏-源电压VDSS(V) |
1200 |
漏极电流(DC)ID @TC=25℃(A) |
36.0 |
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电气特性 |
漏-源导通电阻RDS(ON)典型值 @VGS=20V(mΩ) |
70 |
栅阈值电压Vth @VDS=10V,ID=20mA(V) |
4.2至5.8 |
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总栅电荷Qg典型值(nC) |
67 |
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输入电容Ciss典型值(pF) |
1680 |
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二极管正向电压VDSF典型值 @IDR=10A,VGS=-5V(V) |
-1.35 |
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