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东芝面向电压谐振电路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并简化设备设计

本文作者：东芝点击： 2019-12-24 08:28

前言：

2019年12月23日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“GT20N135SRA”，这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。

GT20N135SRA产品图

GT20N135SRA的集电极-发射极的饱和电压[1]为1.75V，二极管正向电压[2]为1.8V，分别比东芝当前产品[3]低10%和21%。IGBT和二极管都针对高温（TC=100℃）条件下的导通损耗特性进行了改进，而且新款IGBT还有助于降低设备功耗。该产品的结壳热阻为0.48℃/W（最大值），比当前产品[3]低26%，有助于简化热设计。

新款IGBT在设备开机时能抑制通过谐振电容的短路电流。其电路电流[4]峰值为129A，比当前产品[3]低31%。由于其安全工作范围扩大，相对于当前产品[3]而言，设备设计也有所简化。

应用:
• 使用电压谐振电路的家用电器（如桌面电磁炉、电饭煲和微波炉等）。

特性:
• 低导通损耗：
VCE(sat)=1.6V（典型值）（@IC=20A、VGE=15V、Ta=25℃）
VF=1.75V（典型值）（@IF=20A、VGE=0V、Ta=25℃）
• 低结壳热阻：Rth(j-C)=0.48℃/W（最大值）
• 在设备开机时能抑制通过谐振电容的短路电流
• 较大的安全工作范围

主要规格:
（除非另有说明，@Ta=25℃）

器件型号		GT20N135SRA
封装		TO-247
绝对最大额定值	集电极-发射极电压 VCES （V）	1350
	集电极电流（DC） IＣ @TC=25℃ （A）	40
	集电极电流（DC） IＣ @TC=100℃ （A）	20
	结温 Tj （℃）	175
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) 典型值 @IC=20A、 VGE=15V （V）		1.60
二极管正向电压 VF 典型值 @IF=20A、 VGE=0V （V）		1.75
切换时间（下降时间） tf 典型值 @电阻负载（μs）		0.25
结壳热阻 Rth(j-C) 最大值（℃/W）		0.48

注释：
[1] 截至2019年6月，东芝测量的数值。（测试条件：IC=20A、VGE=15V、TC=100℃）
[2] 截至2019年6月，东芝测量的数值。（测试条件：IF=20A、VGE=0V、TC=100℃）
[3] 东芝的当前产品“GT40RR21”
[4] 截至2019年6月，东芝测量的数值。（测试条件：VCC=300V、VGG=15V、C=0.33μF、t=5μs、Ta=25℃）

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.GT20N135SRA.html

如需了解有关东芝IGBT阵容的更多信息，请访问以下网址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt.html

*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社，主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中电子元器件事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域，集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域，通过用于物联网、汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品，推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘（HDD）领域，着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业，为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。

更多信息请访问：https://toshiba-semicon-storage.com

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