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2015年11月9日--意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTM K5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源（drain-to-source）击穿电压（breakdown voltage）的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。
新产品瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是最大限度减少断电停机时间的关键要素，电焊、工厂自动化等工业自动化应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超结MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。
意法半导体的MDmesh K5功率MOSFET系列将此项技术提升至一个全新的水平，单位面积同态电阻（Rds(on)）和栅电荷量（Qg）均创市场最低，并拥有业界最佳的FoM（质量因数） 。新产品是时下主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振（quasi-resonant）有源钳位反激式转换器以及LLC 半桥式转换器，均需要宽输入电压、高能效（高达96%）以及输出功率近200W的电源。
该系列先推出的两款产品是STW12N150K5和STW21N150K5，其最大漏源电流分别达到7A和14A，栅电荷量仅为47nC（STW12N150K5）或通态电阻仅为0.9Ω（STW21N150K5）。两款产品均已量产，采用TO-247封装。
欲了解更多详情，请浏览：www.st.com/mdmeshk5
关于意法半导体
意法半导体（STMicroelectronics; ST）是全球领先的半导体公司，提供创新先进的产品及解决方案，为人们带来更智能且具有更高能效的电子产品，提升日常生活的便利性。意法半导体的产品无处不在，致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智能城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。意法半导体主张智能科技引领智慧生活（life.augmented）的理念。
