iST宜特獨家研發出MEMS G-Sensor失效分析標準流程

本文作者:iST集团       点击: 2013-10-15 00:00
前言:

    在先端科技的蓬勃发展下,MEMS元件已成为智慧产品的主要核心。为降低企业投入MEMS开发时,因故有分析技术难以找出MEMS真正失效原因,iST集团-台湾宜特今(10/15)宣布,成功建构出MEMS G-Sensor的标准失效分析流程。此流程亦被许多公司实际采用,目前全台开发MEMS G-sensor的公司中,约达九成在iST宜特帮助下解决失效问题。 
iST独家研发的MEMS G-Sensor失效分析标准流程,更正式通过全球最具代表性,电子元件检测失效分析技术研讨会-ISTFA的认可,成为全台第一家且是唯一一家拥有MEMS研究团队的实验室。 

iST观察发现,许多公司欲了解MEMS元件的失效状况时,由于对其结构的认知度、掌握度不够,因此以传统方式做开盖(De-cap)观察,容易造成元件污染。 

此外,iST进一步指出,因元件为悬浮结构,以外力移除时易产生毁损。两造影响下,容易造成元件污染和应力破坏,不但没有找出真因,反而制造更多失效盲点。 

为克服此问题,iST今年已成功开发出MEMS无污染的De-cap技术,结合无应力的元件移除技术,以非破坏方式保留结构原貌,避开机械应力和污染产生的非真因失效。目前已帮助三十多家MEMS设计、制造与封装企业,对症下药地找出失效点并成功改善,抢攻市场先机。 
 
  
  iST集团营运长 林正德指出,2007年预见此市场需求后即投入研发,全面布局MEMS等新兴产品失效分析技术。这几年在大量实务经验深耕下,更于今年建立出MEMS标准失效分析流程。 

此技术,iST集团台湾总部技术经理 黄君安将于11月6日在美国加州圣荷西的国际失效分析暨测试研讨会(ISTFA)上发表。欢迎业界先进旧雨新知前来交流。 

ISTFA会议报名网址:
http://www.asminternational.org/content/Events/istfa/index.jsp
   
 
  关于iST集团 -宜特•宜硕 

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iST以追求精准、完美、效率的原则从新竹出发,陆续在世界拓展营运据点,包括大陆地区-昆山宜特、上海宜硕、北京宜硕、深圳宜特;日本IC Service;美国IST成立实验室,期能为客户提供更完整、快速、先进与创新之高品质技术服务,与全球领先趋势共同成长。进一步资讯请至公司网站:www.istgroup.com查询。