Infineon英飞凌科技与南亚科技合资兴建，总投资额高达750亿元的华亚半导体12吋DRAM厂日前动土。该厂生产技术将由双方联合开发，每月的最大生产量将接近50,000片，预计在2003年底开始试产。
<br>此晶圆厂分为二个阶段，发展进度将视全球半导体市场而定。第一阶段预定在2004年下半年完成，每月产能约20,000片。第二阶段预定于2006年中完成，每月产能将提高到50,000片，使其成为全球最大的晶圆厂之一。未来三年的总投资金额将达到22亿欧元。在2005年之前，Infineon与南亚科技将各自投资5.5亿欧元在双方合作开发的创新内存产品生产上。在2004年和2005年两年中，此投资金额中有相当大的比例，将投入在生产进程上。
<br>同时，双方也计划在慕尼黑共同研发0.09微米及0.07微米的参考产品。Infineon和南亚科技将投入超过120位研发人员参与研发计划。在2003年底，第一座12吋晶圆厂将导入最先进的0.09微米生产技术于生产在线。同时，并计划将0.09微米生产技术移转至双方各自现有之8吋晶圆厂。Infineon已经开始为0.09微米生产技术做准备，例如：在今年11月已制造出第一批含有新的cell设计与新的材料特性的试验产品。
<br>双方的合作将以Infineon授权南亚科技沟槽式(trench)技术为开端。结合应用在芯片表面设计之更精细的0.09微米及0.07微米技术，与杰出的区块效率及沟槽式技术的高产能，将大幅提供生产量。
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<br>此晶圆厂分为二个阶段，发展进度将视全球半导体市场而定。第一阶段预定在2004年下半年完成，每月产能约20,000片。第二阶段预定于2006年中完成，每月产能将提高到50,000片，使其成为全球最大的晶圆厂之一。未来三年的总投资金额将达到22亿欧元。在2005年之前，Infineon与南亚科技将各自投资5.5亿欧元在双方合作开发的创新内存产品生产上。在2004年和2005年两年中，此投资金额中有相当大的比例，将投入在生产进程上。
<br>同时，双方也计划在慕尼黑共同研发0.09微米及0.07微米的参考产品。Infineon和南亚科技将投入超过120位研发人员参与研发计划。在2003年底，第一座12吋晶圆厂将导入最先进的0.09微米生产技术于生产在线。同时，并计划将0.09微米生产技术移转至双方各自现有之8吋晶圆厂。Infineon已经开始为0.09微米生产技术做准备，例如：在今年11月已制造出第一批含有新的cell设计与新的材料特性的试验产品。
<br>双方的合作将以Infineon授权南亚科技沟槽式(trench)技术为开端。结合应用在芯片表面设计之更精细的0.09微米及0.07微米技术，与杰出的区块效率及沟槽式技术的高产能，将大幅提供生产量。
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