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全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation，发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号，工作电压范围为2.0V至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点，是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256 Kb 串口闪存和串口 EEPROM存储器的兼容替代产品。
Ramtron 市场推广经理Mike Peters 称：“这两款256 Kb V系列串口器件，具有相比上一代产品更低的工作电压和更高性能，可用于替代FM24L256和 FM25L256B等旧型号器件。我们不断扩展V系列产品线，履行Ramtron对环境的承诺，提供功效更高的非易失性存储器产品，同时免除对电池的依赖。”
关于FM24V02 和FM25V02
FM24V02能以最高3.4 MHz的I2C总线速度执行写入操作，并支持100 kHz 和400 kHz的传统总线频率。此器件无写入延迟，而且无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，FM24V02提供高达100万亿 (1E14)的读/写次数，相比EEPROM高出几个数量级。FM24V02在执行写操作时不需要为写入电路提供内部升高的电源电压，因而功耗也远较EEPROM为低。FM24V02工作模式耗电低于150μA (通常在100KHz下)，待机模式下则为90μA，而睡眠模式耗电更低至5μA。
FM25V02 在40 MHz SPI时钟频率下运作的耗电量仅为3mA，待机模式下为90μA，睡眠模式下则为5μA。FM25V02的典型运作功耗只有 38μA / MHz，较此类的串口闪存或EEPROM产品耗电降低了一个数量级。
两款串口器件FM24V02和FM25V02均具有标准的只读器件ID，可让主机确定制造商、存储容量和产品版本信息。它们还提供可选的独特只读序列号，方便确定带有全球独有ID的主机电路板或系统。最后，FM24V02 和 FM25V02能确保在-40°C至+85°C的温度范围工作，极之适合工业应用。
关于V系列F-RAM
Ramtron的V系列F-RAM产品采用由Ramtron和德州仪器共同开发的先进130nm CMOS生产工艺制造，包括多种容量的I2C、SPI和字节宽度的并口存储器。其先进的制造工艺能够提高器件性能，并增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外，V系列F-RAM包括以下型号：
•FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM)
•FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM)
•FM24V05 (512Kb串口I2C F-RAM)
•FM25V05 (512Kb串口SPI F-RAM )
•FM28V100 (1Mb并口F-RAM)
价格和供货
Ramtron现提供采用符合RoHS标准的8脚SOIC封装的FM24V02 and FM25V02样品，订购1万片，FM24V02的起价为每片2.39美元；FM25V02起价为2.35美元。
关于Ramtron International
Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com 。要获取300-dpi精度产品照片，请访问网页 www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx (参见串口产品)。
