RAMBUS 推出主存储器创新技术

全球高速芯片设计技术授权公司 Rambus 今天宣布推出多项创新技术，可将主存储器运算效能从现有的 DDR3 数据速率限制提升到 3200Mbps。这些Rambus 获奖肯定的创新设计技术，包括已获得及正在申请专利的多项技术，已经开始授权客户使用。透过这些创新技术，设计人员可达到更高的内存数据速率及更有效的传输性能及更佳的电源效率，同时增加需要的容量，以符合未来运算应用的需求。 

Rambus 研究员 Craig Hampel 指出，正因内存子系统是现今效能运算系统效能受限的主因，今日产品在多核心运算、虚拟化及芯片整合方面的进展驱动了市场对内存子系统需求的提升。Rambus 发表的突破性创新技术可协助内存系统，使其有效支持流量导向的多核心处理器中的带宽及工作量，因此可提升未来主存储器的设计及空间，促进新一代运算平台的问世。

Rambus 针对主存储器发表的关键创新技术包括：

•FlexPhase™ 技术 — 导入于 XDR™ 内存架构中，可突破 DDR3 直接存取技术 (direct strobing technology) 的速度限制，以提升数据速率。
•Near Ground Signaling — 可以大幅减少的 IO 电源达到高效能，即便以 0.5V 进行运作仍然能够维持绝佳的讯号完整性。
•FlexClocking™ 架构 — 导入于 Rambus 行动内存 (Mobile Memory Initiative)，可省却 DRAM 的延迟锁定回路 (DLL) 或相位锁定回路 (PLL)，以降低频率功耗。
•模块线程技术 (Module Threading) — 提升内存效率并减少 DRAM 核心功耗，而且在结合 Near Ground Signaling 及 FlexClocking 技术时，可节省超过 40% 的整体内存系统功耗。
•动态点对点 (DPP) — 提供透过强大的点对点讯号处理途径进行容量升级，完全不影响效能。

《Challenges and Solutions for Future Main Memory》白皮书详细说明这些创新技术及其减少目前内存解决方案各方面限制的方式，请至 www.rambus.com 下载该白皮书。

Rambus 授权多项专利创新技术，适用于领先业界且符合业界标准的芯片接口解决方案，以及业界订定的接口。 

关于 Rambus
Rambus 是全球致力于高速芯片架构之发明与设计的技术授权公司。自1990年成立以来，凭借突破性的创新专利与卓越的整合技术，协助芯片厂商及系统公司推出优越产品。Rambus的技术与产品协助客户解决最复杂的芯片和系统接口挑战，使得运算、通讯和消费性电子应用达到前所未有的性能提升。Rambus 授权不仅包括世界一流的专利，还涵盖各种业界领先并符合产业标准的接口产品。Rambus 的总部设于美国加州的洛斯拉图斯 (Los Altos)。进一步信息请上网站www.rambus.com查询。