全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出全新并行和串行F-RAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品中的最新器件FM28V100，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V的并行非易失性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。FM28V100是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中，由1Mb电池支持SRAM存储器升级的理想产品。
Ramtron市场拓展经理Duncan Bennett解释道：“FM28V100为Ramtron二进制宽产品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代产品，为希望在系统中省去电池或外部电容器的电池支持SRAM或NVSRAM用户提供了简便的升级途径。”
关于FM28V100
FM28V100是128K x 8非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，并可在掉电后保存数据。FM28V100提供超过10年的数据保存，能够消除来自电池支持SRAM (BBSRAM) 的可靠性、功能缺点及设计复杂性问题。从系统中去除电池，可让系统在更宽泛的工作温度范围运作，而且有利于环保。F-RAM具有快速写入和几乎无限的写入耐用性，比其它类型的存储器更加优胜。
FM28V100的系统内运作与其它RAM器件相似，可用作标准SRAM的普适型 (drop-in) 替代产品。通过转换芯片引脚或简单地改变地址，即可触发读/写循环。F-RAM存储器采用独特的铁电存储工艺，因而具有非易失性，适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。FM28V100可在-40°C至+85°C的整个工业温度范围工作。
关于F-RAM V系列
Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的先进130nm CMOS生产工艺制造，可实现器件的性能提升，当中包括：
升级的存储器性能：通过推出FM28V100，将1Mb并行存储器的周期时间从150ns减少至90ns，较Ramtron现有的1Mb并行F-RAM存储器提升60%。与Ramtron现有的串行F-RAM产品相比，SPI和I2C串行V系列F-RAM产品的读/写性能提升了二至三倍。
更低、更宽泛的工作电压范围：由德州仪器采用130ns F-RAM生产工艺所带来的技术进步，F-RAM V系列现提供将F-RAM工作电压调低至2.0V 的灵活性，让F-RAM可在更多的电子系统中以原有的工作电压运作。
写入保护特性： 并行F-RAM V系列产品具有软件控制的写入保护功能，其存储器阵列分为8个相同的模块，每个模块可在软件控制下各自实现写入保护，而无需更改硬件或引脚输出(pin-out)。
器件ID：V系列中的串行F-RAM产品具有一个24位器件ID，这是Ramtron产品所独有的，以防止产品出现伪造。
独特的序列号：V系列中的串行F-RAM产品采用64位的序列号订购，由一个16位客户ID、40位独特代码，以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成。
可定制的重置电压：V系列串行F-RAM备有多种重置电压，从2.14V至3.09V。
供货
Ramtron现提供符合RoHS标准的32脚TSOP-I封装FM28V100系。
关于Ramtron International
Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用的半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com。
Ramtron市场拓展经理Duncan Bennett解释道：“FM28V100为Ramtron二进制宽产品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代产品，为希望在系统中省去电池或外部电容器的电池支持SRAM或NVSRAM用户提供了简便的升级途径。”
关于FM28V100
FM28V100是128K x 8非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，并可在掉电后保存数据。FM28V100提供超过10年的数据保存，能够消除来自电池支持SRAM (BBSRAM) 的可靠性、功能缺点及设计复杂性问题。从系统中去除电池，可让系统在更宽泛的工作温度范围运作，而且有利于环保。F-RAM具有快速写入和几乎无限的写入耐用性，比其它类型的存储器更加优胜。
FM28V100的系统内运作与其它RAM器件相似，可用作标准SRAM的普适型 (drop-in) 替代产品。通过转换芯片引脚或简单地改变地址，即可触发读/写循环。F-RAM存储器采用独特的铁电存储工艺，因而具有非易失性，适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。FM28V100可在-40°C至+85°C的整个工业温度范围工作。
关于F-RAM V系列
Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的先进130nm CMOS生产工艺制造，可实现器件的性能提升，当中包括：
升级的存储器性能：通过推出FM28V100，将1Mb并行存储器的周期时间从150ns减少至90ns，较Ramtron现有的1Mb并行F-RAM存储器提升60%。与Ramtron现有的串行F-RAM产品相比，SPI和I2C串行V系列F-RAM产品的读/写性能提升了二至三倍。
更低、更宽泛的工作电压范围：由德州仪器采用130ns F-RAM生产工艺所带来的技术进步，F-RAM V系列现提供将F-RAM工作电压调低至2.0V 的灵活性，让F-RAM可在更多的电子系统中以原有的工作电压运作。
写入保护特性： 并行F-RAM V系列产品具有软件控制的写入保护功能，其存储器阵列分为8个相同的模块，每个模块可在软件控制下各自实现写入保护，而无需更改硬件或引脚输出(pin-out)。
器件ID：V系列中的串行F-RAM产品具有一个24位器件ID，这是Ramtron产品所独有的，以防止产品出现伪造。
独特的序列号：V系列中的串行F-RAM产品采用64位的序列号订购，由一个16位客户ID、40位独特代码，以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成。
可定制的重置电压：V系列串行F-RAM备有多种重置电压，从2.14V至3.09V。
供货
Ramtron现提供符合RoHS标准的32脚TSOP-I封装FM28V100系。
关于Ramtron International
Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用的半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站
