2008年NAND Flash位增长率达到149% 3Q08仍将呈现供过于求

本文作者:admin       点击: 2008-08-15 00:00
前言:
根据集邦科技(DRAMeXchange)报告,在次贷风暴延烧、通膨隐忧及大陆天灾的影响下,闪存(NAND Flash)终端应用需求如手机、音乐播放器(MP3)、记忆卡等产品的传统淡季效应自第二季中期起更加明显,使得供过于求缺口也因此更形扩大,从而抵消了海力士(Hynix)在4月初宣示将进行NAND Flash减产的激励效应,因此价格在4月份小幅反弹后,于6月份因季底效应加上需求疲弱,单月再度下跌达20%以上。 

由于目前主要的供货商仍尚未变原先设定的2008年NAND Flash产出增长目标,因此集邦预估2008年整体NAND Flash供给年增长率将达到149% ,但有鉴于2008下半年NAND Flash相关产品的旺季整体需求可能不如往年的增长幅度,而且可能会递延到第三季中期后才会开始逐渐回温,第三季的NAND Flash仍将呈现供过于求的状况。

DRAM 现货价维持疲弱走势

DDR2 1Gb 667MHz 现货价在去年年底以1.87美元落底后, 一路反弹至5月28日的2.29美元,涨幅约 22%,尽管之后小幅下滑但在7月9日仍守在2.01美元关卡, 但在7月21日续跌至1.97美元。

7/15-7/21的现货价格, 根据集邦科技统计,约下跌1%~2%。显示市场未有明显的买气出现。尤其在中国奥运8月举办在即,严打走私使7月内陆需求大减。 若8月中国内陆需求回笼,却又面临欧洲市场8月需求下降。而且部份主要几家模块厂,通路商仍保有高于1个月的库存水位,也使得下半年现市场实际需求难有很好的表现。