上周(3/11-3/17)DRAM现货市场仍然维持价格疲软的情况，据集邦科技(DRAMeXchange)报价显示，除DDR2 eTT 512Mb的价格表现平稳外，最值得注意的是DDR2 eTT 1Gb的颗粒价格下跌4.2%，已经逼近去年1.57美元的低点。
而自今年三月初以来DDR2 eTT 1Gb的跌幅为9.1%，跌幅居eTT颗粒与品牌颗粒之冠。集邦表示随着台系DRAM厂从DDR2 512Mb转进DDR2 1Gb的比例渐增，加上制程的精进与良率的提升，都让DDR2 eTT 1Gb的颗粒价格加速下滑。
由于DRAM产能不断扩张的结果，以DDR2 eTT 512Mb的价格为例，价格从2006年秋季的7美元下跌至目前0.83美元，跌幅达88.1%。整个产业链除了封测厂以外，无不受伤惨重。目前大部分的模块厂已经将颗粒的库存天数从以往的数周压至3-5天，除积极发展高附加价值的超频市场与服务器市场，也同时加重Flash商品的销售以拉近DRAM与Flash的比例。
集邦分析师进一步指出，模块厂除了在维持现有市场，更正在加强新兴市场的拓展 (如俄罗斯、印度及中东地区) 来积极扩大市场占有率，也藉此阻止其它竞争对手的进入，并取得与原厂议价时较为优势的谈判条件，并降低营运上的风险。
而自今年三月初以来DDR2 eTT 1Gb的跌幅为9.1%，跌幅居eTT颗粒与品牌颗粒之冠。集邦表示随着台系DRAM厂从DDR2 512Mb转进DDR2 1Gb的比例渐增，加上制程的精进与良率的提升，都让DDR2 eTT 1Gb的颗粒价格加速下滑。
由于DRAM产能不断扩张的结果，以DDR2 eTT 512Mb的价格为例，价格从2006年秋季的7美元下跌至目前0.83美元，跌幅达88.1%。整个产业链除了封测厂以外，无不受伤惨重。目前大部分的模块厂已经将颗粒的库存天数从以往的数周压至3-5天，除积极发展高附加价值的超频市场与服务器市场，也同时加重Flash商品的销售以拉近DRAM与Flash的比例。
集邦分析师进一步指出，模块厂除了在维持现有市场，更正在加强新兴市场的拓展 (如俄罗斯、印度及中东地区) 来积极扩大市场占有率，也藉此阻止其它竞争对手的进入，并取得与原厂议价时较为优势的谈判条件，并降低营运上的风险。
