全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。
Ramtron战略市场拓展经理David Lee称：“我们针对需要较低密度F-RAM进行实时数据采集和存储的客户，扩展了Versa 8051产品系列即推出带2KB F-RAM的MCU。VRS51L3072的高性能内核可控制外设及采集数据，而其板载数字信号处理 (DSP) 功能则会处理数据，然后存储在F-RAM内。这款产品与我们的8KB F-RAM MCU引脚兼容，对于那些需要少于8KB F-RAM的应用来说，是一种别具成本效益的替代方案。”
F-RAM替代Flash/EEPROM存储非易性数据存储
F-RAM能够消除Flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及Flash/EEPROM延长的写入周期，从而简化设计流程。与Flash不同，F-RAM字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动，使用更为便捷。而且与Flash/EEPROM不同的是F-RAM能够无限次的读/写和快速写入数据。
VRS51L3072将2KB F-RAM与完全集成的高性能系统级芯片 (System-on-chip)相结合，其特性包括40 MIPS单周期8051内核、同时具有ISP和IAP编程功能的64KB Flash、4KB SRAM、数字信号处理 (DSP) 扩展功能及稳健的数字外围设备。VRS51L3072在整个工业温度范围内以3.3V电压工作，是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。
有关VRS51L3072的更多信息：http://www.ramtron.com/vrs3xxx/。
Ramtron战略市场拓展经理David Lee称：“我们针对需要较低密度F-RAM进行实时数据采集和存储的客户，扩展了Versa 8051产品系列即推出带2KB F-RAM的MCU。VRS51L3072的高性能内核可控制外设及采集数据，而其板载数字信号处理 (DSP) 功能则会处理数据，然后存储在F-RAM内。这款产品与我们的8KB F-RAM MCU引脚兼容，对于那些需要少于8KB F-RAM的应用来说，是一种别具成本效益的替代方案。”
F-RAM替代Flash/EEPROM存储非易性数据存储
F-RAM能够消除Flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及Flash/EEPROM延长的写入周期，从而简化设计流程。与Flash不同，F-RAM字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动，使用更为便捷。而且与Flash/EEPROM不同的是F-RAM能够无限次的读/写和快速写入数据。
VRS51L3072将2KB F-RAM与完全集成的高性能系统级芯片 (System-on-chip)相结合，其特性包括40 MIPS单周期8051内核、同时具有ISP和IAP编程功能的64KB Flash、4KB SRAM、数字信号处理 (DSP) 扩展功能及稳健的数字外围设备。VRS51L3072在整个工业温度范围内以3.3V电压工作，是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。
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