MDT 推出磁传感器晶圆代工与知识产权授权服务

本文作者:江苏多维科技有限       点击: 2013-11-21 16:39
前言:
    加利福尼亚州圣何塞和中国江苏张家港2013年11月21日电 /美通社/ -- 江苏多维科技有限公司 (MDT) 将为磁传感器产品推出新的选项服务,包括定制设计、晶圆代工服务和知识产权 (IP) 授权服务。这些磁传感器用于消费与工业应用,包括电子罗盘 (eCompass)、电流传感器、计量仪表、位置与速度传感器、和金融防伪器具。
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MDT 是精通于磁阻 (MR) 技术的领先磁传感器供应商。该公司生产的磁阻传感器具有高灵敏度、低噪声、超低功耗和卓越的温度稳定性等特征,这些都是 MDT 磁阻技术的独特之处。新的选项服务将扩展 MDT 现有的平面感应 TMR(隧道磁阻)传感器,并面向多种类型的磁阻传感器提供先进的设计与制造服务,包括 AMR(各向异性磁阻)传感器、GMR(巨磁阻)传感器、和可以替代霍尔效应 (Hall Effect) 传感器并具备优异性能的新款 Z 轴 TMR 传感器。这些新的选项服务将使 MDT 具备更强的实力,能够为磁传感器市场上的多种应用提供全面的解决方案。
多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示:“由于我们拥有的强大知识产权组合涵盖了磁阻传感器核心工艺技术和设计,以及磁阻传感器的重要应用领域,MDT 得以在磁传感器行业中居于领先地位。我们在全球范围内提交了100多项专利申请,其中52项已经获批。在我们不断推进传感器技术和扩大市场影响力的同时,这些数字还将持续增长。凭借强大的知识产权组合和先进的制造设备,MDT 成为目前市场上唯一能够提供如此全面的设计和制造服务的磁传感器供应商。我们致力于为客户创造最大价值。无论他们的应用是需要高灵敏度、低噪声、高速度、低功耗、更高的可用性或更好的成本效益,以上各种需求中的单项或是多项组合,我们都能够满足他们的需求,并为他们带来具有卓越性能的解决方案。”
MDT 提供的选项服务包括:
•以晶圆、裸片或封装器件的形式提供平面感应和 Z 轴 TMR 传感器
•为 TMR/GMR/AMR 传感器提供定制设计服务
•专用集成电路 (ASIC) 设计,用于和 TMR/GMR/AMR 传感器进行集成
•为 TMR/GMR/AMR 传感器提供晶圆代工服务,包括薄膜淀积、器件加工、封装与测试
•定制传感器模块设计与应用解决方案
•知识产权授权服务,客户可通过此项服务获得 MDT 技术的使用权,进而将其整合进自己的产品之中
 
MDT 简介
多维科技创立于2010年,总部设在中国江苏省张家港,在中国上海和美国加利福尼亚州圣何塞设有分公司。MDT 拥有多项独特的专利技术和最先进的制造能力,可批量生产高性能、低成本 TMR 磁传感器以满足最严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下,MDT 致力于为客户带来更多附加值,并确保他们的成功。有关 MDT 详情,请访问: http://www.multidimensiontech.com