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美光推出全球首款超高密度内存模组，助力下一代服务器创新
前言：
美光先进 DRAM 封装技术助力 512GB DDR5 RDIMM 提升数据中心性能，速率高达 9,200 MT/s，运行功耗降低 60% 以上
2026年9月16日--美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，公司已在多个服务器平台上成功演示全球首款 512GB DDR5 模组，标志其在内存创新领域取得重要里程碑。这一成果进一步巩固了美光在高性能、大容量服务器内存领域的领先地位，并为企业数据中心及云计算客户高效应对大规模、高要求人工智能（AI）、数据分析、内存数据库及仿真密集型工作负载提供支持。领先的半导体生态合作伙伴 AMD 及英特尔正积极对该模组进行验证，其速率至高可达 9,200 MT/s。
该模组的大容量特性得益于美光先进的垂直互连封装创新。该产品采用硅通孔（TSV）技术，将多个 DRAM 裸片垂直堆叠并实现互连，在单个 DRAM 封装内最大化存储密度，同时保持现代数据中心架构所需的性能。借助该模组，单台配备 24 个内存插槽的双路服务器可实现高达 12TB 的 DDR5 DRAM 容量。
美光高级副总裁暨云端存储事业部总经理 Raj Narasimhan 表示：“美光持续引领内存技术发展，推出新一代超高密度、高性能服务器内存，助力客户将更多数据保留在更靠近计算引擎的位置。美光 512GB RDIMM 支持构建多 TB 级服务器，可在现有服务器空间内支持更大规模的 AI 及数据库工作负载，提升虚拟化密度，改善能效表现。”
生态合作伙伴加速验证
美光正与领先的生态合作伙伴紧密协作，在下一代服务器平台上验证 512GB DDR5 RDIMM，以确保广泛兼容性，并为产品部署提供顺畅路径。
AMD 计算与企业 AI 平台解决方案工程部企业副总裁 Amit Goel 表示：“随着 AI 和数据密集型工作负载不断发展，数据中心基础设施对性能、可扩展性和效率提出了更高要求，AMD 解决方案也在持续推动数据中心整体能力提升。我们与美光开展紧密的工程合作，将计算与内存创新相结合，帮助客户充分释放基于 AMD 技术的平台价值。双方携手打造均衡、高性能的基础设施，以应对现代工作负载不断扩大的规模和日益增加的复杂性。”
英特尔公司数据中心事业部平台与系统工程总经理 Karin Eibschitz Segal 表示：“AI 及其他数据密集型工作负载的增长正对服务器基础设施提出新的要求，内存容量与带宽对系统整体性能的重要性也日益凸显。英特尔正与美光紧密合作，验证其 512GB DDR5 RDIMM，为未来服务器平台提供支持，以满足下一代数据中心工作负载不断增长的需求。”
满足数据密集型工作负载不断增长的内存需求
大语言模型（LLM）、智能体 AI（agentic AI）、实时推理以及高核心数 CPU 工作负载的快速普及，推动了市场对更大服务器内存容量、更高带宽及更高能效的需求。美光 512GB RDIMM 通过支持大规模数据集驻留主内存、减少对速度较慢存储层级的依赖，以及最大限度降低高成本的数据迁移，更好地满足了上述需求。与四条 128GB RDIMM 相比 ，新一代 512GB RDIMM 可实现运行功耗降低 60% 以上，进一步提升能效表现。
对于基于 Spark 支持向量机（SVM）的数据分析等内存受限型工作负载，美光 512GB RDIMM 的性能较 256GB DDR5 配置至高可提升 1.4 倍。该 512GB 模组还可为 RocksDB、Redis 等内存密集型数据库及缓存平台带来显著优势，提升吞吐量和并发能力，并帮助数据集实现更高效的扩展。
业界声音：面向未来的内存解决方案
摩根大通基础设施平台首席信息官 Darrin Alves 表示：“随着数据中心工作负载持续增长，我们越来越关注如何在整个技术栈中优化计算、内存与效率之间的平衡。美光 512GB RDIMM 等大容量内存技术，将帮助企业支持更大规模的内存内（in memory）工作负载，提高资源利用率，并提升现代计算环境扩展所需的灵活性。”
基于客户需求，美光预计将于 2027 年下半年开始量产 512GB RDIMM。如需了解美光目前提供的数据中心解决方案，欢迎访问美光数据中心内存网页。
关于 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）
美光科技是创新内存和存储解决方案的业界领导厂商，致力于加速智能发展，丰富全人类生活。我们始终以客户为中心，专注引领技术创新，追求卓越制造与运营，向客户交付丰富的高性能内存和存储产品组合——包括 DRAM、NAND 及 NOR。美光团队打造的创新产品，每一天都助力数据经济的发展，推动人工智能（AI）和计算密集型应用的突破，释放从数据中心到本地智能设备的无限机遇。如需了解 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）的更多信息，请访问 micron.cn
前瞻性声明
本新闻稿包含前瞻性陈述，包括有关美光 512GB DDR5 RDIMM 及其预期性能、功能、优势、验证与部署情况，以及量产时间安排的陈述。该等前瞻性陈述涉及多项风险和不确定因素，实际结果可能因此与前瞻性陈述中表达或暗示的结果存在重大差异。
请参阅美光科技（Micron）向美国证券交易委员会（SEC）提交的文件，特别是其最新的 Form 10-K 及 Form 10-Q 报告。上述文件载有并列明了可能导致实际结果与前瞻性陈述所述内容产生重大差异的重要风险因素。相关风险因素还可参见：https://investors.micron.com/risk-factor。
尽管美光认为前瞻性陈述中所反映的预期具有合理依据，但美光不保证未来结果、业务活动水平或相关成就一定能够实现。除法律法规另有规定外，自本新闻稿发布之日起，美光不承担更新任何前瞻性陈述的义务，亦无义务因实际结果或后续事件、情况的变化而对该等陈述进行修订。
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