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Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管，提升高频应用能效

本文作者：Vishay 点击： 2021-01-28 14:10

前言：

器件额定电流4 A~40 A，采用MPS结构设计，降低开关损耗和温变影响

2021年1月28日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。

日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场，减少漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。

器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正（PFC）续流、升降压续流和LLC转换器输出整流，为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A~40 A，可在+175 C高温下工作。

器件规格表：

产品编号	I_F(AV)(A)	V_RRM (V)	25 °C, 10 ms下I_FSM (A)	I_F和T_J下V_{F (}_典型值₎			T_J最大值 (°C)	封装
产品编号	I_F(AV)(A)	V_RRM (V)	25 °C, 10 ms下I_FSM (A)	V_F (V)	I_F (A)	T_J (°C)	T_J最大值 (°C)	封装
VS-C04ET07T-M3	4	650	26	1.75	4	150	175	2L TO-220AC
VS-C06ET07T-M3	6	650	39	1.7	6	150	175	2L TO-220AC
VS-C08ET07T-M3	8	650	57	1.7	8	150	175	2L TO-220AC
VS-C10ET07T-M3	10	650	68	1.75	10	150	175	2L TO-220AC
VS-C12ET07T-M3	12	650	80	1.65	12	150	175	2L TO-220AC
VS-C16ET07T-M3	16	650	120	1.65	16	150	175	2L TO-220AC
VS-C20ET07T-M3	20	650	160	1.6	20	150	175	2L TO-220AC
VS-C16CP07L-M3	16	650	53	1.7	8	150	175	TO-247AD 3L
VS-C20CP07L-M3	20	650	64	1.75	10	150	175	TO-247AD 3L
VS-C40CP07L-M3	40	650	160	1.55	20	150	175	TO-247AD 3L

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

The DNA of tech是Vishay Intertechnology的商标。

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