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东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率

本文作者：东芝点击： 2025-09-25 15:02

前言：

2025年9月25日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。

100V U-MOS11-H系列优化了器件结构，进一步改善了U-MOSX-H系列的漏源导通电阻（RDS(ON)）、总栅极电荷（Qg）以及这两者（RDS(ON)×Qg）之间的平衡，从而降低了导通及开关损耗。

与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了约8%，Qg降低了37%，RDS(ON)×Qg改善了42%。此外，它还可通过应用寿命控制技术[2]实现高速体二极管性能，从而降低反向恢复电荷（Qrr）并抑制尖峰电压。与TPH3R10AQM相比新产品的Qrr改善约38%，RDS(ON)×Qrr改善约43%。这些业界领先[3]的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性[4]可最大限度降低功耗，从而提高电源系统的效率和功率密度。新产品还采用SOP Advance (N)封装，具有与行业标准高度兼容的贴装特性。

东芝现在还提供以下两款电路设计支持工具：可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型，以及可精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

未来东芝将继续扩大其低损耗MOSFET的产品线，为实现更高效的电源以及降低设备功耗做出贡献。

 应用：

- 数据中心和通信基站等工业设备的电源

- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）

 特性：

- 低漏源导通电阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）（VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）

- 低总栅极电荷：Qg＝52nC（典型值）（VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）

- 低反向恢复电荷：Qrr＝55nC（典型值）（IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt＝100A/μs、Ta＝25°C）

 主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25°C）

器件型号				TPH2R70AR5
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）			100
	漏极电流（DC）ID（A）		Tc＝25°C	190
	结温Tch（°C）			175
电气特性	漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）	VGS＝10V、ID＝50A	最大值	2.7
	漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）	VGS＝8V、ID＝50A	最大值	3.6
	总栅极电荷Qg（nC）	VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A	典型值	52
	栅极开关电荷Qsw（nC）	VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A	典型值	17
	输出电荷Qoss（nC）	VDD＝50V、VGS＝0V、f＝1MHz	典型值	106
	输入电容Ciss（pF）	VDS＝50V、VGS＝0V、f＝1MHz	典型值	4105
	反向恢复电荷Qrr（nC）	IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt=100A/μs	典型值	55
封装	名称			SOP Advance(N)
封装	尺寸（mm）		典型值	5.15×6.1
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