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Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性

本文作者：Vishay 点击： 2025-05-30 07:14

前言：

这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性

2025年5月29日--日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的导通电阻低15 %，而RthJC低18 %。

日前发布的器件在10 V下的导通电子典型值为0.88 m，最大限度降低了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了热性能。这款节省空间的器件体积为8 mm x 8 mm，与采用TO-263封装的MOSFET相比，PCB面积减少50 %，而且其厚度仅为1 mm。

SiEH4800EW采用融合的焊盘，将源焊盘的可焊面积增加到3.35 mm2，比传统PIN焊接面积大四倍。这降低了MOSFET和PCB之间的电流密度，从而降低了电迁移的风险，使设计更加可靠。此外，器件易于吸附焊锡的侧翼增强了可焊性，同时更容易通过目视检查焊点的可靠性。

这款MOSFET的常适合同步整流和Oring应用。典型应用包括电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。在这些应用中，该器件可在+175 ℃的高温下工作，而其BWL设计可将寄生电感降至最低，同时使电流能力最大化。

MOSFET符合RoHS标准，无卤素，并且经过100 %的Rg和UIS测试。

对比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW对比

产品编号		SUM60020E	SiJH5800E	SiEH4800EW
封装		TO-263	PowerPAK 8x8L	PowerPAK 8x8SW
尺寸 (mm)		16 x 10	8.0 x 8.0 *	8.0 x 8.0 *
高度 (mm)		4.8	1.7	1.0 *
V_DS (V)		80	80	80
V_GS(V)		± 20	± 20	± 20
配置		单个	单个	单个
V_GSth(V)	最小值	2.0	2.0	2.0
R_DS(on)(mΩ) @ 10 V_GS	典型值	1.75	0.97	0.88 *
R_DS(on)(mΩ) @ 10 V_GS	最大值	2.1	1.35	1.15 *
I_D (A)	最大值	150	302	608 *
R_thJC(C/W)	最大值	0.4	0.45	0.36 *
熔断引线		无	无	有