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在元器件短缺、产能吃紧、碳中和以及疫情驱动的全球化数字转型等多种因素的叠加影响下，功率半导体市场迎来一波高速成长。这其中不仅传统功率器件的需求增长，以SiC和GaN为代表新一代宽能隙半导体器件也获得了高速成长的机会。这一点，可能就连SiC和GaN半导体器件的供应商们也没有想到，幸福来的这么快。
多家权威机构在近两年的科技趋势预测中，宽能隙半导体都占据了重要位置。如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这样的第三代半导体器件，其耐高温、耐高压、高工作频率，抗辐射等优异特性，在高功率密度，大功率应用领域绽放异彩。工艺、成本等障碍不断被克服，未来的几年中，我们将在轨道交通、5G基站，新能源汽车、数据中心、特高压电网、消费电子等诸多领域越来越多地看到它们的身影，感受到更多地科技变革。
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